近日，我院物理學專業2018級研究生嚴雪飛在納米壓電自旋晶體管方面取得新進展，相關研究成果“High Performance Piezotronic Spin Transistors using Molybdenum Disulfide Nanoribbon”在Nano Energy（SCI一區，IF=15.548）發表。77779193永利為第一單位，嚴雪飛為論文第一作者，其校外導師為湖南工程學院陳橋教授，校内導師為彭金璋教授。
該工作利用單層二硫化钼的壓電特性調控二硫化钼納米帶的邊緣态，同時通過非局域交換場實現邊緣态的自旋劈裂，從而實現自旋極化輸運。其原因在于由應力引起的壓電電場會使邊緣态發生相變，即從金屬相轉變成半導體相。然而，當同時存在非局域交換場和應力時，納米帶邊緣态會在應力的作用下轉變為半金屬态。自旋極化行為同時受到應力和非局域交換場的調控，在施加應力大于3.6%時，可以實現100%的自旋極化。該工作為設計單層二硫化钼的高性能壓電自旋晶體管提供了新思路和途徑。
論文鍊接：https://doi.org/10.1016/j.nanoen.2020.104953
